Kính Hiển Vi Điện Tử Quét FESEM Độ Phân Giải Cao CIQTEK SEM5000Pro

Mua ngay Gọi điện xác nhận và giao hàng tận nơi

Danh mục: CIQTEK, ĐO LƯỜNG - THỬ NGHIỆM, HÃNG SẢN XUẤT, THIẾT BỊ PHÂN TÍCH

Thông tin chi tiết

Kính Hiển Vi Điện Tử Quét FESEM 5000PRO

MÔ TẢ:

Kính hiển vi điện tử quét CIQTEK SEM5000Pro là kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường Schottky (FE-SEM) với khả năng duy trì độ phân giải cao ngay cả ở điện áp thấp. Nhờ ứng dụng công nghệ quang học điện tử tiên tiến “Super-Tunnel” cùng thiết kế thấu kính điện tĩnh – điện từ kép và đường đi chùm tia không giao cắt, thiết bị giúp giảm hiện tượng tích điện bề mặt, hạn chế quang sai và nâng cao chất lượng hình ảnh ở điện áp thấp. Với độ phân giải đạt tới 1,1 nm ở 1 kV, SEM5000Pro cho phép quan sát trực tiếp các mẫu không dẫn hoặc bán dẫn đồng thời giảm thiểu hư hại do bức xạ.


Model FESEM 5000PRO

ĐẶC ĐIỂM – TÍNH NĂNG:

Độ phân giải cao ở điện áp thấp
Hiệu suất ổn định, vận hành tin cậy
Bộ dò trong thấu kính cho hình ảnh chi tiết cao
Điều khiển chùm điện tử chính xác, nhiều chế độ linh hoạt
Dễ dàng mở rộng, tích hợp thêm các module phân tích
Buồng nạp/thay mẫu nhanh (Specimen Exchange Loadlock) – hỗ trợ mẫu đến 8 inch

ỨNG DỤNG:

1. KHOA HỌC VẬT LIỆU – VẬT LIỆU NANO


Vật liệu 2D không dẫn điện C3N4 – quan sát cấu trúc lớp mỏng chi tiết ở điện áp thấp 500 V mà không gây hư hại mẫu	Bọt niken (Nickel foam) – hình ảnh với hiệu ứng 3D rõ nét khi sử dụng điện áp kích thích 2 kV cùng bộ dò ETD.	Bột bạc cỡ dưới nanomet – ghi hình bằng bộ dò điện tử trong thấu kính ở 3 kV trong điều kiện chân không cao, cho ảnh sắc nét và chi tiết.

2. VẬT LIỆU NĂNG LƯỢNG


Tiền chất cực âm pin Lithium-ion – Sắt Photphat có độ dẫn kém, được ghi hình bằng bộ dò điện tử trong thấu kính (In-lens) ở điện áp thấp 1 kV.	Chất lượng lớp mạ bề mặt trên tấm silicon quang điện, quan sát bằng bộ dò ETD gắn trong buồng ở điện áp 2 kV.	Màng SEI (Solid Electrolyte Interphase) trên cực âm bị hỏng, ghi hình trong điều kiện chân không cao bằng bộ dò In-lens ở 3 kV.

3. VẬT LIỆU POLYMER VÀ VẬT LIỆU KIM LOẠI

		$sem image analysis High-resolution imaging of nano-sized precipitates in fracture surfaces using the Retractable Back-Scattered Electron Detector(BSED)$
Hình thái vi cầu polystyrene được ghi hình bằng bộ dò ETD trong điều kiện chân không cao và điện áp thấp 1 kV. Ảnh không xuất hiện hiện tượng tích điện, cho hiệu ứng 3D rõ nét.	Sợi màng polymer trong pin lithium-ion được chụp ở 500 V trong chế độ nhạy bề mặt, cho kết quả không phá hủy mẫu.	Các kết tủa kích thước nano trên bề mặt gãy được quan sát với độ phân giải cao bằng bộ dò điện tử tán xạ ngược dạng rút gọn (BSED).

4. VẬT LIỆU POLYMER VÀ VẬT LIỆU KIM LOẠI

	$sem image analysis 10 kV imaging with Everhart-Thornley Detector (ETD) used to characterize the fracture surface of iron-nickel alloy metal.$
Hạt polymer từ tính có độ dẫn kém, được phân tích ở điện áp thấp 2 kV bằng bộ dò ETD, phục vụ nghiên cứu hệ vận chuyển thuốc sinh học	Bề mặt gãy của hợp kim sắt–niken được quan sát ở 10 kV bằng bộ dò ETD để phân tích đặc tính cấu trúc.	Hạt polymer từ tính được chụp ở điện áp thấp 2 kV bằng bộ dò ETD, cho hình ảnh với hiệu ứng 3D rõ nét.

5. VẬT LIỆU BÁN DẪN


Mẫu chip – quan sát hoa văn bề mặt và mạch điện bằng bộ dò điện tử tán xạ ngược dạng rút gọn (BSED)	Lớp quang trở (photoresist) – phân tích bề mặt và cấu trúc mép lỗ ở điện áp thấp 2 kV bằng bộ dò ETD.	Mối hàn dây vàng trên chip – ghi hình bằng bộ dò BSED, mẫu được chuẩn bị bằng kỹ thuật đánh bóng chùm ion